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产品信息
品牌/商标
种类
沟道类型
导电方式
用途
封装外形
材料
开启电压
夹断电压
跨导
极间电容
低频噪声系数
漏极电流
耗散功率
TOSHIBA/东芝
型号/规格
2SK30A-GR
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HI-IMP/高输入阻抗
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
详见规格书（V）
详见规格书（V）
详见规格书（μS）
详见规格书（pF）
详见规格书（dB）
详见规格书（mA）
详见规格书（mW）
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1012Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。